mosfet 是單極性晶體管，工作原理基于場(chǎng)效應(yīng)，通過(guò)電場(chǎng)控制導(dǎo)電通道形成。它由四層半導(dǎo)體材料組成，包括源極、漏極、基底和柵極，廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備中，包括放大器、開(kāi)關(guān)、功率變換器和數(shù)字集成電路。

MOSFET 是單極型晶體管

金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (MOSFET) 是單極型晶體管，這意味著它只有單一類型的載流子，要么是電子（n 型 MOSFET），要么是空穴（p 型 MOSFET）。

原理

MOSFET 的工作原理基于場(chǎng)效應(yīng)，它通過(guò)電場(chǎng)控制導(dǎo)電通道的形成。當(dāng)柵極電極上施加電壓時(shí)，它會(huì)在半導(dǎo)體基底中產(chǎn)生一個(gè)電場(chǎng)。這個(gè)電場(chǎng)會(huì)使基底中的載流子移動(dòng)，形成一個(gè)導(dǎo)電通道。

結(jié)構(gòu)

MOSFET 由四層半導(dǎo)體材料組成，包括源極、漏極、基底和柵極。

• 源極和漏極是 MOSFET 的電流端子。
• 基底是導(dǎo)電通道形成的區(qū)域。
• 柵極是一個(gè)金屬電極，通過(guò)施加電壓來(lái)控制導(dǎo)電通道的形成。

應(yīng)用

MOSFET 廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備中，包括：

• 放大器
• 開(kāi)關(guān)
• 功率變換器
• 數(shù)字集成電路