光刻機分為接觸式（用于低分辨率芯片）和投影式（用于高分辨率芯片），它們的區別在于光掩模與晶圓的接觸方式。接觸式光刻機直接接觸，分辨率低；投影式光刻機使用透鏡系統投影，分辨率高。此外，還有更先進的光刻技術，如浸沒式、euv 和多電子束光刻機。

光刻機的用途分類

光刻機是一種用于在半導體芯片上創建精密圖案的至關重要的設備。它是現代電子產品制造過程中必不可少的工具。根據其用途，光刻機可分為以下兩大類：

接觸式光刻機

• 用途：主要用于制造低分辨率芯片，如 DRAM 和 NAND 閃存。

• 特點：

  • 光掩模直接接觸晶圓表面。
  • 分辨率較低，約為 1 微米或以上。
  • 適用于大批量生產。

投影式光刻機

• 用途：制造高分辨率芯片，如 CPU 和圖像傳感器。

• 特點：

  • 光掩模與晶圓之間有一段距離。
  • 通過透鏡系統將光掩模圖案投影到晶圓上。
  • 分辨率更高，可達數十納米。
  • 適用于制造先進的集成電路。

光刻機的分類與特點分析

浸沒式光刻機

浸沒式光刻機在鏡頭和晶圓之間引入液體，以減少光線的衍射，從而提高分辨率。這是目前最先進的光刻技術。

極紫外（EUV）光刻機

EUV 光刻機使用波長更短的極紫外光，可以創建比傳統光刻更精細的圖案。這是下一代光刻技術的領跑者。

多電子束光刻機

多電子束光刻機使用多束電子束直接在晶圓上創建圖案，而不是使用光掩模。它可以實現最高的精度和分辨率，但速度較慢，主要用于研究和開發。